Параллель хранения данных NVRAM 512kx8 ICs памяти DS1250Y-70IND+

Характер продукции

Оригинал хранения данных NVRAM ICs памяти DS1250Y-70IND+ параллельный

ОСОБЕННОСТИ
10 минимального лет удерживания данных в theabsence внешней силы
Данные автоматически защищены во время потерь электропитания
Заменяет RAM 8 512k x испаряющие статический, EEPROM или флэш-память
Неограниченный напишите циклы
Маломощный CMOS
Времена чтения и доступа для записи 70ns
Источник энергии лития электрически отключен для сохранения свежести до тех пор пока сила не приложена в первый раз
Вполне рабочий диапазон VCC ±10% (DS1250Y)
Опционный рабочий диапазон VCC ±5% (DS1250AB)
Опционный промышленный диапазон температур -40°C к +85°C, обозначил IND
Пакет ПОГРУЖЕНИЯ штыря стандарта 32 JEDEC
Пакет модуля PowerCap (PCM)
- Сразу поверхност-mountable модуль
- Меняемый кнопк-на PowerCap обеспечивает батарею лития резервную
- Унифицированное pinout для всех слаболетучих продуктов SRAM
- Особенность отрыва на PCM позволяет легкому удалению используя регулярную отвертку