Микросхемы памяти 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V SRAM 2Mb EMMC

Характер продукции

IS61LV2568L-10T SMD/SMT SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

ОСОБЕННОСТИ

• Высокоскоростное время выборки: 8, 10 ns

• Рабочий ток: 50mA (тип.)

• Резервное течение: 700µA (тип.)

• Множественные разбивочные штыри силы и земли для большей невосприимчивости шума

• Легкое расширение памяти с вариантами CE и OE

• Сила-вниз CE

• Входы и выходы TTL совместимые

• Одиночное электропитание 3.3V

• Пакеты доступные: – штырь 36 SOJ 400 mil – 44 штырь TSOP (тип II)

• Неэтилированное доступное

ОПИСАНИЕ

ISSI IS61LV2568L очень высокоскоростные, низкая мощность, слово 262 144 8-разрядным RAM CMOS статическим. IS61LV2568L изготовлено используя технологию CMOS ISSI высокопроизводительную.

Этот сильно надежный процесс соединенный с новаторскими методами расчета цепи, производит приборы потребления высокого класса исполнения и низкой мощности. Когда CE ВЫСОКО (отсеиванный), прибор принимает режим ожидания на который диссипацию силы можно уменьшить вниз к 36mW (максимальному) с уровнями входного сигнала CMOS.

IS61LV2568L работает от одиночного электропитания 3.3V и все входные сигналы TTL-совместимы. IS61LV2568L доступно в штыре 36 SOJ 400 mil и 44 пакета штыря TSOP (типа II).