ДРАХМА DDR4 8G 512MX16 микросхем памяти MT40A512M16LY-075-E EMMC

Характер продукции

Хранение данных памяти ДРАХМЫ DDR4 8G 512MX16 FBGA MT40A512M16LY-075-E первоначальное

Особенности

• VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV

• VPP = 2.5V, – 125mV, +250mV

• На-плашка, внутреннее, регулируемое поколение VREFDQ

• псевдо I/O открыт-стока 1.2V

• Освежите время цикла 8192 на диапазон температур TC: – 64ms на -40°C к 85°C – 32ms на >85°C к 95°C – 16ms на >95°C к 105°C

• 16 внутренних банков (x4, x8): 4 группы в составе 4 банка каждое

• 8 внутренних банков (x16): 2 группы в составе 4 банка каждое • архитектура prefetch 8n-bit

• Programmable преамбулы строба данных

• Тренировка преамбулы строба данных

• Латентность команды/адреса (CAL)

• Универсальное ЧТЕНИЕ регистра и НАПИСАТЬ возможность

• Выравнивать Write

• Собственная личность освежает режим

• Маломощная автоматическая собственная личность освежает (LPASR)

• Контрол температуры освежает (TCR)

• Точная степень детализации освежает

• Собственная личность освежает прекращени прекращение

• Максимальное энергосбережение

• Тарировка водителя выхода

• Номинальный, парк, и динамический прекращение на-плашки (ODT)

• Заворот шины данных (DBI) для шины данных

• Команда/равенство адреса (CA)

• Databus пишет циклический чек за счет избытка (CRC)

• Addressability В-ДРАХМЫ

• Тест взаимодействия

• JEDEC JESD-79-4 уступчивое

• возможность sPPR и hPPR