Walton Electronics Co., Ltd.

Транзисторы 18.8dB RF транзисторов ASI MRF9045LR1 двухполярные

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Фирменное наименование: original
Сертификация: ISO9001:2015standard
Номер модели: MRF9045LR1
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10pcs
Цена: 9.43-9.88SD/PCS
Упаковывая детали: Стандарт
Время доставки: 2-3 трудодня
Условия оплаты: L/C, западное соединение, palpay
Поставка способности: 1000PCS/Months
  • Подробная информация
  • Характер продукции

Подробная информация

Название продукта: MRF9045LR1 Категория продукта: Транзисторы RF двухполярные
Технология: Si Тип продукта: Транзисторы RF двухполярные
Увеличение: 18.8dB Устанавливать стиль: SMD/SMT
Высокий свет:

Транзисторы MRF9045LR1 RF двухполярные

,

Транзисторы 18.8dB RF двухполярные

,

ASI MRF9045LR1

Характер продукции

Оригинал Si транзисторов MRF9045LR1TRANSISTORS RF двухполярный в запасе

 

ASI MRF9045LR1 золото-металлизированное высокое напряжение,

сбоку отраженный полупроводник металлической окиси. Идеал для сегодняшнего

 Применения усилителя силы RF.

 

Транзисторы 18.8dB RF транзисторов ASI MRF9045LR1 двухполярные 0

 

Транзисторы MOSFET RF
RoHS: Детали
N-канал
Si
4,25 a
65 v
945 MHz
dB 18,8
60 w
SMD/SMT
NI-360
Поднос
Конфигурация: Одиночный
Передний Transconductance - минута: 3 s
Pd - диссипация силы: 117 w
Тип продукта: Транзисторы MOSFET RF
Subcategory: MOSFETs
Тип: MOSFET силы RF
Vgs - напряжение тока Ворот-источника: 15 v
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника: 4,8 v
Вес блока: 0,032480 oz
Типичные 2
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
dBc 32
Интегрированное предохранение от ESD
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения и ввода
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
Превосходная термическая стабильность
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
Параметры импеданса сигнала
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13 дюймов.
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс показывает 40
′ ′ μ
Nomin
Типичные 2
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
dBc 32
Интегрированное предохранение от ESD
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения и ввода
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
Превосходная термическая стабильность
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
Параметры импеданса сигнала
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13 дюймов.
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс показывает 40
′ ′ μ
Nomin
Типичные 2
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
dBc 32
Интегрированное предохранение от ESD
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения и ввода
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
Превосходная термическая стабильность
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
Параметры импеданса сигнала
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13 дюймов.
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс показывает 40
′ ′ μ
Nomin
Типичные 2
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
dBc 32
Интегрированное предохранение от ESD
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения и ввода
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
Превосходная термическая стабильность
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
Параметры импеданса сигнала
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13 дюймов.
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс показывает 40
′ ′ μ
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
1
Данные по прибора RF
Полупроводник Freescale
Транзисторы влияния поля силы RF
N
Повышение канала
MOSFETs режима боковые
Конструированный
для широкополосных коммерчески и промышленных применений с frequen-
cies до 1000 MHz. Высокий ga
в и широкополосное представление этих
приборы делают их идеальный для большой
сигнал, общий
applica- усилителя источника
tions в оборудовании базовой станции 28 вольт.
Типичные 2
Представление тона на 945 MHz, 28 вольтах
Сила выхода — 45 ватт ПОДБАДРИВАЮЩЕГО
Увеличение силы — dB 18,8
Эффективность — 42%
IMD —
dBc 32
Интегрированное предохранение от ESD
Конструированный для максимальной плоскостности участка увеличения и ввода
Способный на регулировать 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 945 MHz, 45 ватт CW
Сила выхода
Превосходная термическая стабильность
Охарактеризованный с эквивалентом серии большим
Параметры импеданса сигнала
В ленте и вьюрке. Суффикс R1 = 500 блоков в 32 mm, вьюрок 13 дюймов.
Низкая толщина плакировкой золота на руководствах. L суффикс показывает 40
′ ′ μ
Никакой

Свяжись с нами

Впишите ваше сообщение

Вы могли бы быть в этих