Walton Electronics Co., Ltd.
Спросите цитату
Russian
English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish
Главная страница ПродукцияОбломок IC транзистораMOSFET IC полупроводников обломока CA3020A TGS2600 IC транзистора IRFB3207ZPBF дискретный
IRFB3207ZPBF Transistor IC Chip CA3020A TGS2600 Discrete Semiconductors MOSFET IC
IRFB3207ZPBF Transistor IC Chip CA3020A TGS2600 Discrete Semiconductors MOSFET IC IRFB3207ZPBF Transistor IC Chip CA3020A TGS2600 Discrete Semiconductors MOSFET IC

MOSFET IC полупроводников обломока CA3020A TGS2600 IC транзистора IRFB3207ZPBF дискретный

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Фирменное наименование: Original
Сертификация: ISO9001:2015standard
Номер модели: IRFB3207ZPBF
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10pcs
Цена: Contact us to win best offer
Упаковывая детали: Стандарт
Время доставки: 1-3 трудодней
Условия оплаты: T/T, западное соединение, PayPal
Поставка способности: 10000 месяцев ПК
Контакт
  • Подробная информация
  • Характер продукции

Подробная информация
Устанавливать стиль: Через отверстие Пакет/случай: TO-220-3
Полярность транзистора: N-канал Количество каналов: 1 канал
Vds - пробивное напряжение Сток-источника: 75 v Id - непрерывное течение стока: 170 a
Высокий свет:

Обломок IC транзистора IRFB3207ZPBF

,

Обломок IC транзистора MOSFET

,

Через OEM MOSFET IC отверстия

Характер продукции

Полупроводники транзисторов CA3020A TGS2600 MOSFET IRFB3207ZPBF дискретные

 

Применения

  • Выпрямление высокой эффективности одновременное в SMPS
  • Бесперебойное электропитание
  • Высокоскоростное переключение силы
  • Крепко переключенные и высокочастотные цепи

Преимущества

 

  • Улучшенные ворота, лавина и динамическая пересеченность dv/dt
  • Полностью, который характеризуют емкость и лавина SOA
  • Увеличенный диод dV/dt тела и возможность dI/dt
  • Неэтилированный
  • RoHS уступчивое, свободный от Галоид

 

 

MOSFET IC полупроводников обломока CA3020A TGS2600 IC транзистора IRFB3207ZPBF дискретный 0

 

MOSFET
Si
3,3 mOhms
- 20 V, + 20 V
4 v
120 nC
- 55 c
+ 175 c
300 w
Повышение
Трубка
Конфигурация: Одиночный
Высота: 15,65 mm
Длина: 10 mm
Тип продукта: MOSFET
Количество пакета фабрики: 1000
Subcategory: MOSFETs
Тип транзистора: 1 N-канал
Ширина: 4,4 mm
Часть # псевдонимы: IRFB3207ZPBF SP001575584
Вес блока: 0,068784 oz

 

 

 

 

тег:

Полупроводник 625mW BJT дискретный

обломок IC транзистора 2N3439

Двухполярные транзисторы MPS6560

Свяжись с нами

Впишите ваше сообщение

Вы могли бы быть в этих