обломок IC транзистора 2N4416 через Ciss канала 30V отверстия JFET n низкий

Характер продукции

оригинал 2N4416 до отверстие JFET n - канал - Ciss низкого уровня 30 v

ОСОБЕННОСТИ

• Геометрия InterFET N0026S

• Малошумный: 4 nV/√Hz типичного

• Низкая утечка: 10pA типичное

• RoHS уступчивое

• SMT, TH, и обнаженные умирают варианты пакета.

ОПИСАНИЕ

-30V InterFET 2N4416 и 2N4416A прицелены для чувствительного смесителя и дизайнов усилителя усилителя VHF. Утечки ворот типично более менее чем 10pA на комнатных температурах. Вариант «a» имеет более высокое пробивное напряжение. Пакет TO-72 герметически закрыван и соответствующий для военных применений.