Walton Electronics Co., Ltd.
Спросите цитату
Russian
English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish
Главная страница ПродукцияОбломок IC транзистораобломок IC транзистора двухполярного соединения 2N3439 до отверстие TO393
2N3439 Bipolar Junction Transistor IC Chip Through Hole TO393
2N3439 Bipolar Junction Transistor IC Chip Through Hole TO393

обломок IC транзистора двухполярного соединения 2N3439 до отверстие TO393

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Фирменное наименование: original
Сертификация: ISO9001:2015standard
Номер модели: 2N3439
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10pcs
Цена: Contact us to win best offer
Упаковывая детали: Стандарт
Время доставки: 1-3 трудодней
Условия оплаты: L/C, T/T, западное соединение, PayPal
Поставка способности: 10000pcs/месяцы
Контакт
  • Подробная информация
  • Характер продукции

Подробная информация
Устанавливать стиль: Через отверстие Пакет/случай:: TO-39-3
Упаковка:: Большая часть Subcategory:: EEPROM
Subcategory: Транзисторы Pd - диссипация силы:: 800 mW
Высокий свет:

транзистор двухполярного соединения 2N3439

,

транзистор двухполярного соединения до отверстие TO393

,

обломок IC транзистора 2N3439

Характер продукции

транзисторы дискретных полупроводников 2N3439 двухполярные до отверстие TO-39-3

 

обломок IC транзистора двухполярного соединения 2N3439 до отверстие TO393 0

 

 

Изготовитель: первоначальный
Категория продукта: Двухполярные транзисторы - BJT
RoHS: N
Устанавливать стиль: Через отверстие
Пакет/случай: TO-39-3
Полярность транзистора: NPN
Конфигурация: Одиночный
Напряжение тока коллектор- эмиттера VCEO Макс: 350 v
Напряжение тока коллектора- база VCBO: 450 v
Напряжение тока VEBO излучателя низкопробное: 7 v
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера: 500 mV
Максимальное течение сборника DC: 1 a
Pd - диссипация силы: 800 mW
Продукт fT ширины полосы частот увеличения: -
Минимальная рабочая температура: - 65 c
Максимальная рабочая температура: + 200 c
Упаковка: Большая часть
Бренд: первоначальный
Тип продукта: BJTs - двухполярные транзисторы
Количество пакета фабрики: 1
Subcategory: Транзисторы
Технология: Si
Вес блока: 0,213044 oz

тег:

Полупроводник 625mW BJT дискретный

обломок IC транзистора 2N3439

Двухполярные транзисторы MPS6560

Свяжись с нами

Впишите ваше сообщение

Вы могли бы быть в этих