Walton Electronics Co., Ltd.
Спросите цитату
Russian
English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish
Главная страница ПродукцияОбломок IC транзистораКанал 600V n обломока IC транзистора MOSFET FCB36N60NTM SMD SMT
FCB36N60NTM SMD SMT MOSFET Transistor IC Chip N Channel 600V
FCB36N60NTM SMD SMT MOSFET Transistor IC Chip N Channel 600V

Канал 600V n обломока IC транзистора MOSFET FCB36N60NTM SMD SMT

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Оригинал
Фирменное наименование: original
Сертификация: ISO9001:2015standard
Номер модели: FCB36N60NTM
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 10pcs
Цена: 3-5.00USD/pc
Упаковывая детали: Трубка, вьюрок, поднос
Время доставки: 2-3 трудодня
Условия оплаты: T/T, западное соединение, PayPay
Поставка способности: 1000PCS/Months
Контакт
  • Подробная информация
  • Характер продукции

Подробная информация
Полярность транзистора: Канал n Количество каналов: 1 канал
Vds - пробивное напряжение Сток-источника: 600V Rds на - сопротивлении Сток-источника: 90 mOhms
Pd - диссипация силы: 312 w Конфигурация: Одиночный
Высокий свет:

Обломок IC транзистора FCB36N60NTM

,

Транзистор MOSFET FCB36N60NTM

,

Канал 600V n транзистора MOSFET

Характер продукции

Оригинал полупроводников транзисторов MOSFET FCB36N60NTM дискретный

 

 

Атрибут продукта Атрибут со значением
Категория продукта: MOSFET
Технология: Si
Устанавливать стиль: SMD/SMT
Пакет/случай: SC-70-3
Полярность транзистора: N-канал
Количество каналов: 1 канал
Vds - пробивное напряжение Сток-источника: 600 v
Id - непрерывное течение стока: 36 a
Rds на - сопротивлении Сток-источника: 90 mOhms
Vgs - напряжение тока Ворот-источника: - 30 V, + 30 V
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника: 4 v
Qg - обязанность ворот: 112 nC
Минимальная рабочая температура: - 55 c
Максимальная рабочая температура: + 150 c
Pd - диссипация силы: 312 w
Режим канала: Повышение
Упаковка: Вьюрок
Упаковка: Раскроенная лента
Упаковка: MouseReel
Конфигурация: Одиночный
Время падения: 4 ns
Передний Transconductance - минута: 41 s
Высота: 4,83 mm
Длина: 10,67 mm
Тип продукта: MOSFET
Время восхода: 22 ns
Серия: FCB36N60N
Количество пакета фабрики: 800
Subcategory: MOSFETs
Тип транзистора: 1 N-канал
Типичное время задержки поворота-: 94 ns
Типичное время задержки включения: 23 ns
Ширина: 9,65 mm
Вес блока: 4 g

 

Канал 600V n обломока IC транзистора MOSFET FCB36N60NTM SMD SMT 0

тег:

Полупроводник 625mW BJT дискретный

обломок IC транзистора 2N3439

Двухполярные транзисторы MPS6560

Свяжись с нами

Впишите ваше сообщение

Вы могли бы быть в этих