Хранение данных памяти оперативного запоминающего устройства MRAM MR0A08BCYS35 MRAM магниторезистивное

Характер продукции

Магниторезистивное хранение данных памяти оперативного запоминающего устройства MR0A08BCYS35 (MRAM) EHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35

ПРЕИМУЩЕСТВА ОСОБЕННОСТЕЙ

• Одна память заменяет ВСПЫШКУ, SRAM, EEPROM и MRAM в системе для более простого, более эффективного дизайна

• Улучшает надежность путем замена с батарейным питанием SRAM

• Электропитание 3,3 вольт

• Быстро прочитанное 35 ns/пишут цикл

• Время SRAM совместимое

• Родная нелетучесть

• Неограниченное чтение & написать выносливость

• Данные всегда слаболетучие на леты >20 на температуре

• Коммерчески и промышленные температуры

• Все продукты соотвествуют уровень чувствительности влаги MSL-3

• RoHS-уступчивые пакеты TSOP2 и BGA

ПРЕИМУЩЕСТВА

• Одна память заменяет ВСПЫШКУ, SRAM, EEPROM и MRAM в системе для более простого, более эффективного дизайна

• Улучшает надежность путем замена с батарейным питанием SRAM