Память полупроводника S29GL01GS10TFI010 IC TSOP-56 1 Gbit ни внезапный параллельный интерфейс

Характер продукции

Память полупроводника S29GL01GS10TFI010 IC НИ параллель ВСПЫШКИ 1G 3V 100NS НИ внезапные интегральные схемаы

Спецификации:

Отличительные характеристики

 CMOS ядр 3,0 вольт с разносторонним I/O

технология затмения nm MirrorBit  65

поставка  одиночная (VCC) для чтения/программы/стирания (2,7 v до 3,6 v)

особенность I/O  разносторонняя – широкий ряд напряжения тока I/O (VIO): 1,65 v до VCC

шина данных  ×16

страница 32 байт  асинхронная прочитала

 буфер 512 байт программируя – программирующ в многократных цепях страницы, до максимума 512 байт

отдельное слово  и множественная программа на таких же вариантах слова

проверка погрешностей  автоматические и коррекция (ECC) – внутренний ECC оборудования с однобитовым исправлением ошибки

стирание участка  – форма 128 участков кбайта

 приостанавливает и возобновляет команды для деятельности программы и стирания.